晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。