多項(xiàng)選擇題MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）


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1.單項(xiàng)選擇題由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

A.寄生電容
B.共生電容
C.儲(chǔ)存電容

2.多項(xiàng)選擇題集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底的特定區(qū)域中

3.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物

5.多項(xiàng)選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

A.導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體