A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏/片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏/片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏/片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
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A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器
A.成像時(shí)間短
B.X線利用效率高
C.圖像質(zhì)量好
D.系統(tǒng)成本高
E.以上都是
A.X線-電信號(hào)-數(shù)字圖像
B.X線-可見(jiàn)光-電信號(hào)-數(shù)字圖像
C.X線-可見(jiàn)光-電信號(hào)-模擬圖像
D.X線-電信號(hào)-熒光屏-模擬圖像
E.X線-電信號(hào)-熒光屏-數(shù)字圖像
A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無(wú)電離輻射
A.對(duì)比度好
B.分辨率高
C.成像速度慢
D.可以動(dòng)態(tài)成像
E.視野大
A.可見(jiàn)光
B.電子空穴對(duì)
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線
A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵(lì)熒光體
D.光電倍增管
E.CCD
A.CCD相機(jī)
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光電二極管
E.閃爍體
最新試題
傳統(tǒng)X射線攝影其量子檢測(cè)效率僅為()
間接DR中,位于FPD頂層的是()
含5個(gè)結(jié)晶水的硫代硫酸鈉是()
IP曝光后,應(yīng)在多長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行信號(hào)讀?。ǎ?/p>
關(guān)于CR攝影系統(tǒng)的影像板,以下說(shuō)法不正確的是()
根據(jù)IP上影像信息自動(dòng)選擇圖像讀出條件是在()
讀取裝置使用的能源是()
DR使用的檢測(cè)裝置是()
FPD能夠成為平板形狀,主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是()
CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于()