真空中有一載流I=500A的無限長直導(dǎo)線(圖10-84),距該導(dǎo)線1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為()T。
A.0.6
B.10-4
C.1.0
D.2.4
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半徑R0=0.5m的半球形接地電極,淺埋于電導(dǎo)率為γ=1.91×10-2S/m的土壤中(圖10-82),該半球電極的接地電阻為()Ω。
A.79.6
B.9.82
C.16.67
D.29.92
A.8.86mA
B.7.02μA
C.3.51μA
D.1.76mA
在平行板電容器中,有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)(圖10-81),它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S/m,γ2=1×10-8S/m,極板面積S=0.66m2,每層介質(zhì)厚度d=0.6cm,則電容器的漏電導(dǎo)G=()S。
A.10-7
B.4×10-8
C.2×10-7
D.10-8
如圖10-80所示,平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S/m,極板面積S=0.6m2,極板間距離d=3cm,則該電容器的漏電阻為()。
A.0.5MΩ,
B.1.0kΩ
C.1.0MΩ
D.0.5kΩ
如圖10-79所示,一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極,深埋于電導(dǎo)率為σ=1.91×10-2S/m的土壤中,該接地極的接地電阻為()Ω。
A.12.8
B.8.33
C.1.67
D.16.66
最新試題
以點(diǎn)電荷Q所在點(diǎn)為球心,距點(diǎn)電荷Q的距離R處的電場強(qiáng)度E:()。
在R、L串聯(lián)電路中,激勵(lì)信號產(chǎn)生的電流響應(yīng)(零狀態(tài)響應(yīng))iL(t)中()。
如圖10-78所示,一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì),內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm,外導(dǎo)體半徑R3=4cm,內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1,厚度為1cm,外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2,厚度為2cm,內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V(以外導(dǎo)體為參考點(diǎn))。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強(qiáng)度相等,則外層2介質(zhì)上的電位差為()V。
真空中有一載流I=500A的無限長直導(dǎo)線(圖10-84),距該導(dǎo)線1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為()T。
如圖10-76所示,圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì),所對應(yīng)的極板面積為S0,下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1,所對應(yīng)的極板面積為S1,極板的間距為d,該電容器的電容量為()。
在圖10-69所示電路中,開關(guān)S在t=0瞬間閉合,若uC(0-)=5V,則uL(0+)=()V。
兩個(gè)平行帶電平板,每個(gè)平板的面積為S,相距d,且d<<S,兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電容量是()。
在圖10-67所示電路中,開關(guān)S在位置1的時(shí)間常數(shù)為τ1,在位置2的時(shí)間常數(shù)為τ2,τ1和τ2的關(guān)系是()。
如圖10-73所示,給平行板電容器加電壓V0,其極板上所受的電場力為()。
真空中有一個(gè)半徑為a的均勻帶電球,其電荷體密度為ρ,帶電球內(nèi)的電場為()。