單項(xiàng)選擇題三極管輸出特性曲線可分為三個區(qū),下列不屬于工作區(qū)的是()。

A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)


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1.單項(xiàng)選擇題NPN型硅管各極對地電位分別是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,則1,2,3分別為()。

A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極

3.單項(xiàng)選擇題PNP型硅管工作在放大狀態(tài),各極對地電位分別是V1=6V,V2=2.7V,V=2V,則1,2,3分別為()。

A.發(fā)射極、基極、集電極
B.集電極、基極、發(fā)射極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.基極、集電極、發(fā)射極

5.單項(xiàng)選擇題

測得電路中晶體三極管各電極相對于地的電位如圖,從而可判斷該晶體管工作在()。

A.飽和狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.倒置狀態(tài)
D.截止?fàn)顟B(tài)

最新試題

?在使用verilog描述一個二選一的數(shù)據(jù)選擇器時,使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=(sel &b)∣(~sel &a),這條語句對應(yīng)的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()

題型:單項(xiàng)選擇題

現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)?()

題型:單項(xiàng)選擇題

在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時,柵極直流電壓將會(),漏極直流電流將會(),輸入電阻將會()。

題型:單項(xiàng)選擇題

?已知Nexys4開發(fā)板外部時鐘信號頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時鐘信號頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對100MHz的外部時鐘分頻得到1Hz的秒信號,請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()

題型:單項(xiàng)選擇題

當(dāng)VGS=0時,能夠?qū)ǖ腗OS管為()

題型:多項(xiàng)選擇題

?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。

題型:判斷題

假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時,溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動。

題型:判斷題

?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()

題型:多項(xiàng)選擇題