MBE只能用于III-V族化合物的生長。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

MOS管是一種電流型半導體器件，BJT是一種電壓型半導體器件。

非本征光電導

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

MOSFET開關的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導電溝道的通斷。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）