GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

陰極射線致發(fā)光

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級是相等的。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。