單項(xiàng)選擇題在距離1米處的劑量率為67.5R/h的50Ci鈷60射源(50x1.35=67.5)經(jīng)過2個(gè)半衰期后將衰減為()Ci。
A、25
B、12.5
C、6.25
D、3.125
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1.單項(xiàng)選擇題鈷60發(fā)射路徑上遇一1/2時(shí)厚鉛塊,劑量率會降低()。
A、1/3
B、1/4
C、1/2
D、3/4
2.單項(xiàng)選擇題下列各項(xiàng)中不影響射線照片細(xì)節(jié)影像不清晰度的是()。
A、射線源尺寸
B、射線源到膠片距離
C、X射線能量
D、X射線強(qiáng)度
3.單項(xiàng)選擇題曝光過程中,試樣或膠片偶然移動或使用焦距變小()。
A、產(chǎn)生射線照相底片對比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
4.單項(xiàng)選擇題未曝光膠片儲存的最佳濕度要求是()。
A、35%~-60%之間
B、60%~90%之間
C、50%~75%之間
D、50%~60%之間
5.單項(xiàng)選擇題膠片與鉛箔增感屏一起放在暗盒中的時(shí)間過長,又曾處在高溫或高濕環(huán)境中,膠片可能()。
A、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)
B、出現(xiàn)樹枝狀的輕微條痕
C、發(fā)生灰霧
D、藥膜脫落
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渦流檢測線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
題型:單項(xiàng)選擇題
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
題型:單項(xiàng)選擇題
根據(jù)檢測對象和目的的不同,渦流檢測儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測厚儀三種。
題型:單項(xiàng)選擇題
對于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
題型:單項(xiàng)選擇題
磁性測厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測量方法。
題型:單項(xiàng)選擇題
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
題型:單項(xiàng)選擇題
掃查方式一般視試件的()而定。
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
題型:單項(xiàng)選擇題
在遠(yuǎn)場區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
題型:單項(xiàng)選擇題