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單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的（）。

A.開(kāi)路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

1.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是（）。

A.4HF+Si=SiF₄+2H₂↑
B.CF₄+SiO₂——→SiF₄+CO₂↑
C.CF₄+SiO₂+O₂——→SiF₄+CO₂↑
D.SiO₂+4HF——→SiF₄+2H₂O

2.單項(xiàng)選擇題磷硅玻璃的主要組成是（）和（）。

A.P，Si
B.P₂O₅，Si
C.P₂O₅，O₂
D.P，SiO₂

3.單項(xiàng)選擇題目前在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，最常用的儲(chǔ)能設(shè)備是（）。

A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流（）漂移電流，耗盡層（）。

A.大于，變寬
B.小于，變窄
C.大于，變窄
D.小于，變寬

5.單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷原子后形成的半導(dǎo)體稱(chēng)為（）。

A.本征半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.化合物半導(dǎo)體

6.單項(xiàng)選擇題（）是將熔融后的多晶硅與單晶硅的結(jié)晶進(jìn)行接觸，邊緩慢旋轉(zhuǎn)提拉，使結(jié)晶生長(zhǎng)，最后得到長(zhǎng)棒形狀的單晶硅。

A.直拉法
B.鑄錠法
C.西門(mén)子法
D.三氯氫硅還原法

7.單項(xiàng)選擇題1954年在美國(guó)的（）實(shí)驗(yàn)室，由Perarson、Chapin、Fuller發(fā)明了pn結(jié)型硅太陽(yáng)能電池。

A.詹姆斯.瓦特
B.愛(ài)迪生
C.貝爾
D.埃特尼.勒努瓦

8.單項(xiàng)選擇題目前已被實(shí)用化的太陽(yáng)能電池中98%使用的是（）材料。

A.硅
B.鍺
C.鎵
D.銦

9.單項(xiàng)選擇題下列屬于生態(tài)發(fā)電的有：太陽(yáng)能發(fā)電和（）。

A.火力發(fā)電
B.水力發(fā)電
C.煤炭發(fā)電
D.風(fēng)力發(fā)電

10.單項(xiàng)選擇題光和物質(zhì)的相互作用有吸收、（）、透射等現(xiàn)象。

A.反射
B.干涉
C.直射
D.衍射