單項選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是()。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑


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1.單項選擇題以下省份中,年平均日照射強度最高省份是()。

A.寧夏
B.河南
C.江蘇
D.海南

2.單項選擇題下面哪一項不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

3.單項選擇題層壓組件時一般需要的時間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

6.單項選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑,可降低溫度

7.單項選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

9.單項選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的()原理來減少反射。

A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射

10.單項選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈()。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形