單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法


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1.單項(xiàng)選擇題層壓組件時(shí)一般需要的時(shí)間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

4.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過(guò)程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長(zhǎng)速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑,可降低溫度

5.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽(yáng)電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

最新試題

由兩個(gè)觸發(fā)器組成的時(shí)序電路,所以其工作狀態(tài)應(yīng)為()種。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題

下列受時(shí)鐘控制的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

清零端與脈沖信號(hào)的狀態(tài)無(wú)關(guān),所以叫做同步清零。

題型:判斷題

放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。

題型:判斷題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼,需要用8位二進(jìn)制代碼來(lái)表示。

題型:判斷題