單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題層壓組件時(shí)一般需要的時(shí)間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

4.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過(guò)程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長(zhǎng)速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑,可降低溫度

5.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽(yáng)電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

7.單項(xiàng)選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的()原理來(lái)減少反射。

A.相長(zhǎng)干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射

8.單項(xiàng)選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈()。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形

9.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的()。

A.開(kāi)路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

10.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是()。

A.4HF+Si=SiF4+2H2
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

最新試題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無(wú)影響。

題型:判斷題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

所謂異步時(shí)序邏輯電路,是指電路中所有的觸發(fā)器,具有同一個(gè)時(shí)鐘脈沖CP的作用,因此各觸發(fā)器的狀態(tài)也不可能處于同一時(shí)刻改變。

題型:判斷題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題

uo與ui大小相等,相位相反,此時(shí)的電路稱為反相器,或倒相器。

題型:判斷題

本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題