多項(xiàng)選擇題晶閘管鋸齒波觸發(fā)電路至少含有以下（）部分。

A.同步環(huán)節(jié)
B.鋸齒波形成及移相控制環(huán)節(jié)
C.脈沖形成、放大和輸出環(huán)節(jié)
D.脈沖保護(hù)環(huán)節(jié)


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1.多項(xiàng)選擇題相控整流―直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)在輕載時(shí)出現(xiàn)電流斷續(xù)，電流斷續(xù)時(shí)機(jī)械特性（）

A.與電流連續(xù)時(shí)沒(méi)有差別
B.理想空載轉(zhuǎn)速升高
C.機(jī)械特性顯著變軟
D.電機(jī)發(fā)生堵轉(zhuǎn)

2.多項(xiàng)選擇題整流變壓器不僅能使整流電路與電網(wǎng)隔離，還可以通過(guò)合理選擇U2（）。

A.提高整流裝置的功率因數(shù)
B.減小電源容量
C.減少高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響
D.降低晶閘管所承受的最大電壓

3.多項(xiàng)選擇題MCT是一種新型電力電子器件，具有以下特點(diǎn)（）。

A.通態(tài)壓降小，約為1.1V，僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開(kāi)關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會(huì)損害器件

4.多項(xiàng)選擇題使用功率MOSFET時(shí)要注意（）。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過(guò)電壓保護(hù)

5.多項(xiàng)選擇題功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求是（）。

A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開(kāi)啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

6.多項(xiàng)選擇題LEM模塊是快速過(guò)電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測(cè)量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快

7.多項(xiàng)選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

8.多項(xiàng)選擇題以下集成電路（）是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

9.多項(xiàng)選擇題大功率晶體管GTR過(guò)電流保護(hù)有（）方式。

A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法

10.多項(xiàng)選擇題關(guān)于二次擊穿，以下說(shuō)法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會(huì)發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會(huì)發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過(guò)程很短暫