單項(xiàng)選擇題扇山系數(shù)No是指邏輯門(mén)電路（）。

A.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系數(shù)
B.輸iU電壓與輸入電流之間的關(guān)系數(shù)
C.輸出端能帶同類門(mén)的今個(gè)數(shù)
D.輸入端數(shù)


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2.單項(xiàng)選擇題在TTL集成與非門(mén)中，多發(fā)射極晶體管T1的主要作用是（）。

A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負(fù)載能力
D.提高抗干擾能力

3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中有兩種載流子，分別是（）。

A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子

4.單項(xiàng)選擇題如果晶體三極管的（），則該管工作于飽和區(qū)。

A.發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置，集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置，集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置，集電結(jié)反偏置

5.單項(xiàng)選擇題硅二極管導(dǎo)通和截止的條件是（）。

A.VD>0.5V，VD<0.7V
B.VD>0.7V，VD<0.5V
C.VD>0.7V，VD<0.7V
D.VD>0.5V，VD<0.5V

6.單項(xiàng)選擇題邏輯函數(shù)與⊙滿足（）關(guān)系。

A.互非
B.對(duì)偶
C.相等
D.無(wú)任何關(guān)系

8.單項(xiàng)選擇題雙積分A／D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換時(shí)間大約在（）的范圍內(nèi)。

A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾百微秒
D.幾十毫秒

9.單項(xiàng)選擇題逐次逼近型A／D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換時(shí)間大約在（）的范圍內(nèi)。

A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾十毫秒
D.幾百毫秒

10.單項(xiàng)選擇題若雙積分A／D轉(zhuǎn)換器第一次積分時(shí)間T1取20ms的整倍數(shù)，它便具有（）的優(yōu)點(diǎn)。

A.較高轉(zhuǎn)換精度
B.極強(qiáng)抗50HZ干擾
C.較快的轉(zhuǎn)換速度
D.較高分辨率

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