A.飽和區(qū)和放大區(qū)
B.放大區(qū)和截止區(qū)
C.飽和區(qū)和截止區(qū)
D.集電區(qū)和發(fā)射區(qū)
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A.全局布線區(qū)
B.通用邏輯塊
C.輸出布線區(qū)
D.輸出控制單元
A.可編程邏輯陣列
B.可編程陣列邏輯
C.通用陣列邏輯
D.專用陣列邏輯
A.與非與非
B.異或
C.最簡(jiǎn)與或
D.最簡(jiǎn)或與
A.PROM
B.EPROM
C.SRAM
D.PLA
A.與門陣列
B.或門陣列
C.與非門陣列
D.輸入緩沖器
A.非用戶定制
B.全用戶定制
C.半用戶定制
D.自動(dòng)生成
A.邏輯門
B.GAL
C.PROM
D.PLA
A.1/4
B.1/2
C.1
D.2
A.8
B.9
C.10
D.11
A.2.56
B.5.12
C.7.7
D.8.58
最新試題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
電可擦除的PROM器件是()
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說明理由。
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0,它的輸入信號(hào)JK就為()。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號(hào)。