A.后級加緩沖電路
B.接入濾波電容
C.修改邏輯設(shè)計增加冗余項(xiàng)
D.引入封鎖脈沖
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A.2
B.3
C.4
D.5
A.譯碼器
B.加法器
C.寄存器
D.數(shù)據(jù)選擇器
A.輸出僅由輸入決定
B.電路的輸出與電路當(dāng)前狀態(tài)無關(guān)
C.電路結(jié)構(gòu)中無反饋環(huán)路
D.有記憶功能
A.全部輸入是0
B.任一輸入是0
C.僅一輸入是0
D.全部輸入是1
A.10101
B.00100101
C.100101
D.10101
最新試題
兩個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時,兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會()。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?