多項選擇題以下電路中可以實現(xiàn)“線與”功能的有（）。
A.與非門
B.三態(tài)輸出門
C.集電極開路門
D.漏極開路門
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1.多項選擇題三態(tài)門輸出高阻狀態(tài)時，（）是正確的說法。
A.用電壓表測量指針不動
B.相當于懸空
C.電壓不高不低
D.測量電阻指針不動
2.單項選擇題以下四種轉換器，（）是A/D轉換器且轉換速度最高。
A.并聯(lián)比較型
B.逐次逼近型
C.雙積分型
D.施密特觸發(fā)器
3.單項選擇題將幅值上、時間上離散的階梯電平統(tǒng)一歸并到最鄰近的指定電平的過程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
4.單項選擇題用二進制碼表示指定離散電平的過程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
5.單項選擇題一個無符號4位權電阻DAC，最低位處的電阻為40KΩ，則最高位處電阻為（）。
A.4KΩ
B.5KΩ
C.10KΩ
D.20KΩ
最新試題
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入（）路編碼信號。
題型：單項選擇題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
題型：問答題
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是（）
題型：單項選擇題
若停電數(shù)分鐘后恢復供電，（）中的信息能夠保持不變。
題型：單項選擇題
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
簡述用譯碼器或多路選擇器實現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
題型：問答題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴展可以獲得4M×8的存儲器。
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TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
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兩個與非門構成的基本RS觸發(fā)器，當Q=1、Q=0時，兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會（）。
題型：單項選擇題
一個兩輸入端的門電路，當輸入為10時，輸出不是1的門電路為（）
題型：單項選擇題