A.微功耗
B.高速度
C.高抗干擾能力
D.電源范圍寬
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A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗飽和三極管
A.懸空
B.通過電阻2.7kΩ接電源
C.通過電阻2.7kΩ接地
D.通過電阻510Ω接地
A.正或門
B.正非門
C.正與門
D.負(fù)或門
A.TSL門
B.OC門
C.漏極開路門
D.CMOS與非門
A.與非門
B.三態(tài)輸出門
C.集電極開路門
D.漏極開路門
最新試題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?