多項(xiàng)選擇題與TTL電路相比,CMOS電路的特點(diǎn)是()
A.噪聲容限低
B.電源適用范圍寬
C.功耗極低
D.扇出能力強(qiáng)
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1.多項(xiàng)選擇題CMOS數(shù)字集成電路與TTL數(shù)字集成電路相比突出的優(yōu)點(diǎn)是()。
A.微功耗
B.高速度
C.高抗干擾能力
D.電源范圍寬
2.多項(xiàng)選擇題三極管作為開關(guān)使用時(shí),要提高開關(guān)速度,可()。
A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗飽和三極管
3.多項(xiàng)選擇題TTL電路在正邏輯系統(tǒng)中,以下各種輸入中()相當(dāng)于輸入邏輯“1”。
A.懸空
B.通過電阻2.7kΩ接電源
C.通過電阻2.7kΩ接地
D.通過電阻510Ω接地
4.多項(xiàng)選擇題邏輯表達(dá)式Y(jié)=AB可以用()實(shí)現(xiàn)。
A.正或門
B.正非門
C.正與門
D.負(fù)或門
5.多項(xiàng)選擇題以下電路中不能用于總線應(yīng)用的有()。
A.TSL門
B.OC門
C.漏極開路門
D.CMOS與非門
最新試題
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
題型:單項(xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
題型:單項(xiàng)選擇題
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會()。
題型:單項(xiàng)選擇題
簡述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
題型:問答題
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
題型:問答題
一個(gè)兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門電路為()
題型:單項(xiàng)選擇題
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
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根據(jù)什么判斷簡單電路中的險(xiǎn)象存在?
題型:問答題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
題型:問答題