A.與非邏輯功能
B.與邏輯功能
C.提高電路的開(kāi)關(guān)速度
D.降低電路的開(kāi)關(guān)速度
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A.設(shè)計(jì)合理的外電路（抗飽和電路）
B.加大UBE
C.選擇開(kāi)關(guān)時(shí)間較小的管子
D.減小UBE
A.74LS00
B.74LS04
C.CD4511
D.CD4017
A.集電極開(kāi)路
B.三態(tài)門輸出
C.圖騰柱輸出
D.復(fù)合管和圖騰柱輸出
A.與門
B.與非門
C.非門
D.或門
A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)
A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)
A.噪聲容限低
B.電源適用范圍寬
C.功耗極低
D.扇出能力強(qiáng)
A.微功耗
B.高速度
C.高抗干擾能力
D.電源范圍寬
A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗飽和三極管
A.懸空
B.通過(guò)電阻2.7kΩ接電源
C.通過(guò)電阻2.7kΩ接地
D.通過(guò)電阻510Ω接地
最新試題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
以下代碼中為無(wú)權(quán)碼的為（）。
判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）