問(wèn)答題MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
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1.問(wèn)答題說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
2.問(wèn)答題MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
3.問(wèn)答題什么是MOS器件的體效應(yīng)?
5.問(wèn)答題試述MOS管溝道長(zhǎng)度L和寬度W與閾值電壓的關(guān)系。
最新試題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線(xiàn),請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化,并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型:多項(xiàng)選擇題
集成電路電阻可以通過(guò)()產(chǎn)生。
題型:多項(xiàng)選擇題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)()等步驟。
題型:多項(xiàng)選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是無(wú)源電阻?什么是有源電阻?舉例說(shuō)明。
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題