從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

集成電容主要有幾種結構？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。