單項(xiàng)選擇題

通過I²C、SPI、UART、USB等可以實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)間或嵌入式系統(tǒng)與外圍器件等的連接，下面相關(guān)敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.I²C總線只有兩條信號(hào)線，一條是數(shù)據(jù)線SDA另一條是時(shí)鐘線SCL所有操作都通過這兩條信號(hào)線完成
B.SPI通信時(shí)，首先要使SPI從設(shè)備的SSEL處于被選中狀態(tài)，表示將要對(duì)該從設(shè)備進(jìn)行操作，然后才能按照SPI時(shí)序要求進(jìn)行數(shù)據(jù)操作
C.UART即通用異步收發(fā)器，可用于全雙工串行異步通信
D.USB 1.1和USB 2.0采用全雙工差分方式進(jìn)行通信

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單項(xiàng)選擇題

某型NAND Flash芯片的地址線和數(shù)據(jù)線是復(fù)用的，它具有的部分引腳為ALE、CE、RE、R/B，如果下面每一個(gè)選項(xiàng)是用于簡(jiǎn)述這些引腳的功能的，其中完全正確的是（）

A.低電平有效的芯片使能、命令鎖存允許、準(zhǔn)備就緒/忙輸出、讀使能/寫使能
B.命令鎖存允許、低電平有效的寫保護(hù)、低電平有效的芯片使能、地址鎖存允許
C.地址鎖存允許、低電平有效的芯片使能、低電平有效的讀使能、準(zhǔn)備就緒/忙輸出
D.準(zhǔn)備就緒/忙輸出、低電平有效的讀使能、低電平有效的寫使能、命令鎖存允許

單項(xiàng)選擇題

下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的存儲(chǔ)器及高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口的敘述，其中錯(cuò)誤的是（）

A.ARM芯片片內(nèi)配有的Flash存儲(chǔ)器，通常用作系統(tǒng)的程序存儲(chǔ)器
B.ARM芯片內(nèi)的Cache采用SRAM
C.高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口只能用于擴(kuò)展系統(tǒng)的程序存儲(chǔ)器
D.高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口與AMBA的系統(tǒng)總線部分相連

通過I2C、SPI、UART、USB等可以實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)間或嵌入式系統(tǒng)與外圍器件等的連接，下面相關(guān)敘述中，錯(cuò)誤的是（）

你可能感興趣的試題

某型NAND Flash芯片的地址線和數(shù)據(jù)線是復(fù)用的，它具有的部分引腳為ALE、CE、RE、R/B，如果下面每一個(gè)選項(xiàng)是用于簡(jiǎn)述這些引腳的功能的，其中完全正確的是（）

下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的存儲(chǔ)器及高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口的敘述，其中錯(cuò)誤的是（）

通過I²C、SPI、UART、USB等可以實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)間或嵌入式系統(tǒng)與外圍器件等的連接，下面相關(guān)敘述中，錯(cuò)誤的是（）

某型NAND Flash芯片的地址線和數(shù)據(jù)線是復(fù)用的，它具有的部分引腳為ALE、CE、RE、R/B，如果下面每一個(gè)選項(xiàng)是用于簡(jiǎn)述這些引腳的功能的，其中完全正確的是（）

下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的存儲(chǔ)器及高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口的敘述，其中錯(cuò)誤的是（）