問(wèn)答題PN結(jié)隔離的雙極集成電路工藝需要幾次光刻，每次光刻目的是什么？
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1.問(wèn)答題伴隨一個(gè)橫向PNP器件產(chǎn)生兩個(gè)寄生的PNP晶體管，試問(wèn)當(dāng)橫向PNP器件在4種可能的偏置情況下，哪一種偏置會(huì)使得寄生晶體管的影響最大?
5.問(wèn)答題給出ADC的主要技術(shù)指標(biāo)及含義。
最新試題
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？
題型：?jiǎn)柎痤}
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
二極管存在最高工作頻率是因?yàn)镻N 結(jié)有電容效應(yīng)。
題型：判斷題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說(shuō)明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型：判斷題
說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？
題型：?jiǎn)柎痤}