試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

薄層電阻

淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。