二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。

自由電子是載流子，空穴不是。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。

半導體獲得廣泛應用的原因是（）