單項(xiàng)選擇題按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因,可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為()。
A.熱缺陷
B.雜質(zhì)缺陷
C.非化學(xué)計(jì)量缺陷
D.A+B+C
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1.單項(xiàng)選擇題缺陷對晶體的性能有重要影響,常見的缺陷為()。
A.點(diǎn)缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.A+B+C
2.單項(xiàng)選擇題固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變,但點(diǎn)陣畸變,性能變化。固溶體有有限和無限之分,其中()。
A.結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件
B.結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件,不是充分條件
C.結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件
D.結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件
3.單項(xiàng)選擇題形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響,主要表現(xiàn)為()。
A.穩(wěn)定晶格
B.活化晶格
C.固溶強(qiáng)化
D.A+B+C
4.單項(xiàng)選擇題對于形成雜質(zhì)缺陷而言,高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí),該位置帶有正電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生()。
A.正離子空位
B.間隙負(fù)離子
C.負(fù)離子空位
D.A或B
5.單項(xiàng)選擇題對于形成雜質(zhì)缺陷而言,低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí),該位置帶有負(fù)電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生()。
A.負(fù)離子空位
B.間隙正離子
C.間隙負(fù)離子
D.A或B
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