單項(xiàng)選擇題當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物（），粘度（）。

A.降低；增加
B.不變；降低
C.增加；降低
D.增加；不變


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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（），粘度（）。

A.降低；增加
B.不變；降低
C.增加；降低
D.增加；不變

3.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（）。

A.螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移
B.刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移
C.螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移
D.螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移

4.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（）。

A.位錯(cuò)不一定是直線
B.位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界
C.位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部
D.位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部

5.單項(xiàng)選擇題熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時(shí)，（）。

A.間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
B.正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
C.正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
D.正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)