在光的作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象。向外發(fā)射的電子稱為光電子。如光電管、光電倍增管等。
當一些晶體受熱時，在晶體兩端會產(chǎn)生數(shù)量相等而符號相反的電荷，從而產(chǎn)生電極化的現(xiàn)象。
壓阻效應(yīng)指當半導(dǎo)體受到機械力作用時，由于載流子遷移率的變化，使其電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象。
最新試題
非本征光電導(dǎo)
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
磁滯回線
本征光電導(dǎo)
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
光生伏特效應(yīng)