壓阻效應(yīng)指當(dāng)半導(dǎo)體受到機(jī)械力作用時，由于載流子遷移率的變化，使其電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象。
激光器最重要的部分是工作物質(zhì)，包括激活離子和基質(zhì)。
閃光燈或另一種激光器以及氣體放電激勵、化學(xué)激勵、核能激勵。
當(dāng)原子中的電子處于低能級時，吸收光子的能量后從低能級躍遷到高能級----光吸收。
最新試題
光電導(dǎo)效應(yīng)
磁滯回線
光生伏特效應(yīng)
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
本征光電導(dǎo)
激活劑
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
AFM通常用來觀測樣品表面形貌。