提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

光生伏特效應(yīng)

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。

光生伏特效應(yīng)

本征光電導(dǎo)

XPS只能檢測(cè)元素種類，無(wú)法標(biāo)定元素含量。

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒(méi)有要求。