單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）適合于在（）條件下工作。
A.直流
B.低頻
C.中頻
D.高頻
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1.單項(xiàng)選擇題電力晶體管在使用時(shí)，要防止（）。
A.二次擊穿
B.靜電擊穿
C.時(shí)間久而失效
D.工作在開關(guān)狀態(tài)
2.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）是理想的（）控制器件。
A.電壓
B.電流
C.電阻
D.功率
3.單項(xiàng)選擇題功率晶體管（GTR）從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為（）。
A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截至
5.填空題GTO的門極控制增益β的表示方法：（）。
8.單項(xiàng)選擇題在晶閘管工作過程中，管子本身產(chǎn)生的管耗等于管子兩端電壓乘以（）
A.陽極電流
B.門極電流
C.陽極電流與門極電流之差
D.陽極電流與門極電流之和
9.單項(xiàng)選擇題處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在陽極與陰極間加正向電壓，且在門極與陰極間作（）處理才能使其開通。
A.并聯(lián)一電容
B.串聯(lián)一電感
C.加正向觸發(fā)電壓
D.加反向觸發(fā)電壓
10.單項(xiàng)選擇題普通晶閘管的額定通態(tài)電流是用（）表示。
A.流過晶閘管的平均電流
B.直流輸出平均電流
C.整流輸出電流有效值
D.交流有效值
最新試題
全加器的輸入信號是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列受時(shí)鐘控制的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對理想運(yùn)放，當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)，其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
題型：判斷題
將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說明，這個(gè)電路具有自起功能。
題型：判斷題
由兩個(gè)觸發(fā)器組成的時(shí)序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。
題型：單項(xiàng)選擇題
集成運(yùn)放在信號運(yùn)算中的應(yīng)用電路有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
反相比例運(yùn)算電路，平衡電阻的求法：令ui=0，則uo=0，此時(shí)反相端對地總電阻值，即為所求平衡電阻值。
題型：判斷題
使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會下降。
題型：判斷題
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長度為（）
題型：單項(xiàng)選擇題