單項選擇題關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電,下列敘述不正確的是:()
A.PN 結(jié)加的正向電壓夠大時,多子的擴散比少子的漂移占優(yōu)勢
B.PN 結(jié)加反向電壓時,少子的漂移比多子的擴散占優(yōu)勢
C.PN 結(jié)不外加電壓時,少子的漂移與多子的擴散達到動態(tài)平衡
D.要給PN 結(jié)加正向電壓,P 區(qū)一側(cè)應(yīng)接低電位,N 區(qū)一側(cè)應(yīng)接高電位
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1.單項選擇題半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
A.半導(dǎo)體的電阻介于導(dǎo)體與絕緣體之間
B.半導(dǎo)體可以制作成非常純凈的晶體
C.半導(dǎo)體可以通過摻雜工藝制成N 型半導(dǎo)體和P 型半導(dǎo)體
D.半導(dǎo)體具有熱敏性、光敏性和特殊的摻雜特性
2.單項選擇題下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是()
A.本征半導(dǎo)體
B.P 型半導(dǎo)體
C.N 型半導(dǎo)體
3.判斷題結(jié)電容是常量。
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題型:單項選擇題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
題型:單項選擇題
結(jié)電容是常量。
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試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法,并說明當(dāng)前實際工藝中使用的主要方法及理由。
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