單項選擇題本質(zhì)半導體在絕對零度（0°K）時，其性能如同（）

A.金屬導體
B.絕緣體
C.半導體
D.具有多數(shù)之自由電子


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2.單項選擇題下列有關(guān)半導體之敘述，何者錯誤？（）

A.外質(zhì)半導體的導電性較本質(zhì)半導體好
B.N型半導體的多數(shù)載子為電洞
C.P型半導體加入的雜質(zhì)為受體
D.N型半導體加入的雜質(zhì)為五價元素

3.單項選擇題PN半導體加逆向偏壓時會有些許電流產(chǎn)生，乃是因為（）所引起.

A.正離子
B.負離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子

4.單項選擇題當逆向偏壓從10V減少到5V時，二極管接面的空乏區(qū)將（）

A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰

5.單項選擇題三價雜質(zhì)加到硅形成（）

A.鍺
B.P型半導體
C.N型半導體
D.空乏區(qū)