單項(xiàng)選擇題芯片的靜電防護(hù)措施不包括（）。

A.佩戴防靜電手環(huán)
B.使用防靜電包裝
C.增加工作環(huán)境濕度
D.提高工作電壓


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1.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度的說(shuō)法，正確的是（）。

A.隨著技術(shù)進(jìn)步，設(shè)計(jì)復(fù)雜度降低
B.設(shè)計(jì)復(fù)雜度與芯片性能無(wú)關(guān)
C.先進(jìn)制程芯片的設(shè)計(jì)復(fù)雜度更高
D.設(shè)計(jì)復(fù)雜度主要由封裝決定

2.單項(xiàng)選擇題芯片制造中，清洗工藝的目的是（）。

A.去除表面污染物
B.提高芯片硬度
C.改變芯片顏色
D.增加芯片重量

3.單項(xiàng)選擇題芯片的良品率主要受（）影響。

A.制造工藝
B.設(shè)備精度
C.原材料質(zhì)量
D.以上都是

4.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于芯片知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的措施，錯(cuò)誤的是（）。

A.申請(qǐng)專利
B.商業(yè)秘密保護(hù)
C.隨意公開(kāi)技術(shù)細(xì)節(jié)
D.簽訂保密協(xié)議

5.單項(xiàng)選擇題芯片制造中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）主要用于（）。

A.平坦化芯片表面
B.形成絕緣層
C.蝕刻金屬層
D.檢測(cè)缺陷