單項選擇題關(guān)于離子晶體中缺陷的表述錯誤的是（）

A.Frenkel缺陷：“空位+間隙原子”成對出現(xiàn)
B.Schottky缺陷：“空位”缺陷單獨出現(xiàn)
C.Frenkel缺陷和Scottky缺陷都是雜質(zhì)缺陷
D.Frenkel缺陷和Scottky缺陷都是本征缺陷


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1.單項選擇題晶體的描述中關(guān)于Pauling規(guī)則的表述錯誤的是（）

A.離子晶體中，陰離子以一定的方式堆積，陽離子則填充在其堆積空隙中
B.在一個穩(wěn)定的離子化合物的結(jié)構(gòu)中，每一負離子上的電荷事實上應(yīng)被它所配位的正離子上的電荷所抵消
C.在含有一種以上正離子的晶體中，電價大、配位數(shù)低的那些正離子傾向于共用多面體的點、棱、面等幾何因素
D.晶體中不同類型的配位多面體數(shù)目傾向于最少

2.單項選擇題燒結(jié)陶瓷法制備無極固體材料時，以下利于反應(yīng)措施有（）

A.共沉淀法制備目標物質(zhì)
B.采用能夠放出氣體的原料
C.反應(yīng)溫度設(shè)定在某起始物質(zhì)熔點
D.以上三種都是

3.單項選擇題關(guān)于超導(dǎo)陶瓷材料的表述正確的是（）

A.臨界溫度Tc越低越好
B.臨界磁場Hc越小越好
C.臨界電流Ic越小越好
D.臨界溫度Tc、臨界磁場Hc、臨界電流Ic都是越大越好

4.單項選擇題下列雜質(zhì)對AgCl導(dǎo)電率提升的是（）

A.AgBr
B.ZnCl2
C.KCl
D.NaBr

5.單項選擇題關(guān)于助熔劑法制備無機材料的說法正確的是（）

A.助熔劑比目標物質(zhì)的熔點低
B.助熔劑比目標物質(zhì)的熔點高
C.助熔劑只能是一種
D.助熔劑法多余，不如直接將目標物質(zhì)熔融再結(jié)晶