列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

OED/ORD

純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。

說明氧化氣氛對擴(kuò)散有何影響及原因？

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

自由電子是載流子，空穴不是。