列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

薄層電阻

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

自由電子是載流子，空穴不是。

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。