單項選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
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1.單項選擇題如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
2.單項選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時間
D.加法器
5.單項選擇題若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
A.RAM
B.COMP
C.ROM
D.MUX
最新試題
電可擦除的PROM器件是（）
題型：單項選擇題
利用2個74LS138和1個非門，可以擴展得到1個（）線譯碼器。
題型：單項選擇題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項選擇題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項選擇題
27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項選擇題
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入（）路編碼信號。
題型：單項選擇題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項選擇題
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
題型：單項選擇題
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
兩個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時，兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會（）。
題型：單項選擇題