A.乙醇
B.甲醛
C.環(huán)氧乙烷
D.高溫滅菌
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A.于生產(chǎn)有利
B.膜與本體溶液界面區(qū)域濃度越來(lái)越高
C.在生產(chǎn)中應(yīng)盡量避免
D.必然造成膜污染
A.不飽和區(qū)
B.飽和區(qū)
C.不穩(wěn)定區(qū)
D.穩(wěn)定區(qū)
A.結(jié)晶速率
B.結(jié)晶產(chǎn)率
C.結(jié)晶溶劑
D.結(jié)晶工藝過(guò)程及操作條件
A.雜質(zhì)能完全制止晶體的生長(zhǎng)
B.雜質(zhì)能晶體能促進(jìn)生長(zhǎng)
C.改變晶體的晶型
D.雜質(zhì)對(duì)同種晶體的不同晶面產(chǎn)生選擇性影響
A.干燥溫度較低
B.產(chǎn)品質(zhì)地疏松
C.可減少空氣對(duì)產(chǎn)品的不良影響
D.適合于稠浸膏及熱敏性或高溫下易氧化物料的干燥
最新試題
在實(shí)際結(jié)晶操作中，消除過(guò)量晶核的方法有（）。
關(guān)于濃差極化，以下說(shuō)法正確的是（）。
常用的膜的化學(xué)消毒劑有（）等。
在結(jié)晶過(guò)程的相平衡關(guān)系圖中，當(dāng)溶液的狀態(tài)點(diǎn)落在穩(wěn)定區(qū)內(nèi)時(shí)，說(shuō)明溶液（）。
在結(jié)晶操作時(shí)，過(guò)飽和溶液在（）等外界條件的刺激下，均可誘發(fā)成核。
所有的發(fā)酵必須通過(guò)無(wú)菌空氣培養(yǎng)后才能達(dá)到產(chǎn)品。
雜質(zhì)的存在對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響有（）
生物藥物之所以要干燥是因?yàn)椋ǎ?/p>
當(dāng)晶體與外部物體接觸時(shí)，碰撞作用可發(fā)生在（）之間。
結(jié)晶過(guò)程中，過(guò)飽和度增高往往使（），導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)速率減慢。