根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

說明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？

發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

二極管存在最高工作頻率是因?yàn)镻N 結(jié)有電容效應(yīng)。