單項(xiàng)選擇題關(guān)于鍺二極管，下列哪項(xiàng)不正確？（）

A.鍺二極管的門檻電壓，相對(duì)硅而言比較小
B.鍺二極管的反向飽和電流，相對(duì)硅而言更大一點(diǎn)
C.二極管兩端所加的正向電壓大于門檻電壓時(shí)，電流呈現(xiàn)指數(shù)增加
D.二極管兩端施加反向電壓時(shí)，會(huì)形成反向飽和電流，相當(dāng)于二極管導(dǎo)通


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1.單項(xiàng)選擇題下面哪項(xiàng)不是PN結(jié)加正向電壓時(shí)的特性？（）

A.大的正向擴(kuò)散電流
B.PN結(jié)導(dǎo)通
C.低電阻
D.高電阻

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于空間電荷，下列哪一項(xiàng)不正確？（）

A.空間電荷區(qū)的電阻率很高
B.PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)是從P區(qū)指向N區(qū)的
C.由載流子濃度差引起的載流子運(yùn)動(dòng)，稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
D.漂移運(yùn)動(dòng)指的是電場(chǎng)作用所引起的載流子的運(yùn)動(dòng)

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項(xiàng)不正確？（）

A.N型半導(dǎo)體，自由電子數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)的
B.N型半導(dǎo)體中，自由電子是多子
C.N型半導(dǎo)體中，空穴是多子
D.N型半導(dǎo)體中的空穴主要由熱激發(fā)形成

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于空穴，下面哪一項(xiàng)不正確？（）

A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個(gè)帶正電的粒子，電量與電子相等
C.可以用空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流來(lái)代替受束縛的電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流
D.硅的價(jià)電子比鍺的價(jià)電子越容易擺脫束縛（相同情況）

5.單項(xiàng)選擇題

電路如圖所示。求（）。

A.R1/R2
B.R2/R1
C.-R1/R2
D.-R2/R1