漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？

列出并解釋替位雜質在硅中的三種主要擴散機制。

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

自由電子是載流子，空穴不是。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質B，P，As的擴散特性。

薄層電阻