問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟？
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟？
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3.問(wèn)答題四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管中隱埋層的作用？
4.名詞解釋摩爾定律
5.名詞解釋die size
最新試題
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
題型：?jiǎn)柎痤}
結(jié)電容是常量。
題型：判斷題
在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。
題型：判斷題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？
題型：?jiǎn)柎痤}
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？
題型：?jiǎn)柎痤}
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。
題型：判斷題