多項選擇題消除鳥嘴效應的方法有（）。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
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1.單項選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
2.單項選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
3.單項選擇題下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
4.單項選擇題如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
A.化學物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細菌
5.單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
最新試題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
消除鳥嘴效應的方法有（）。
題型：多項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題