單項選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
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1.單項選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
2.單項選擇題下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
3.單項選擇題如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌
4.單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
5.單項選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法