電路如圖所示，已知FET在Q點(diǎn)處的跨導(dǎo)g_m=2mS，λ=0，試求該電路的、R_i、R_o的值。

圖所示場(chǎng)效應(yīng)管工作于放大狀態(tài)，r_ds忽略不計(jì)，電容對(duì)交流視為短路。跨導(dǎo)為g_m=1ms。
（1）畫出電路的交流小信號(hào)等效電路；
（2）求電壓放大倍數(shù)和源電壓放大倍數(shù)；
（3）求輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

電路如圖所示，已知場(chǎng)效應(yīng)管VT的U_th=2V，U_（BR）DS=16V、U_（BR）GS=30V，當(dāng)U_GS=4V、U_DS=5V時(shí)的I_D=9mA。請(qǐng)分析這四個(gè)電路中的場(chǎng)效應(yīng)管各工作在什么狀態(tài)（截止、恒流、可變電阻、擊穿）？

電路如圖所示，已知FET的U_th=3V、K_n=0.1mA/V²?，F(xiàn)要求該電路中FET的I_DQ=1.6mA，試求R_d的值應(yīng)為多大？

電路如圖所示，已知VT在U_GS=5V時(shí)的I_D=2.25mA，在U_GS=3V時(shí)的I_D=0.25mA。現(xiàn)要求該電路中FET的V_DQ=2.4V、I_DQ=0.64mA，試求：
（1）管子的K_n和U_th的值；
（2）R_d和R_S的值應(yīng)各取多大？