根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

結(jié)電容是常量。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

自由電子是載流子，空穴不是。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。