試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

OED/ORD

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。