填空題磁隔離的器件通常是(),當(dāng)脈沖較寬時(shí),為避免鐵心飽和,常采用()和()的方法。

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4.單項(xiàng)選擇題IGBT的3個(gè)引出電極分別是()

A.陽(yáng)極、陰極、門(mén)極
B.陽(yáng)極、陰極   柵極
C.柵極、源極  漏極
D.發(fā)射極、柵極、集電極

6.單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(電力MOSFET)()現(xiàn)象。

A.有二次擊穿
B.無(wú)二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無(wú)靜電擊穿

8.單項(xiàng)選擇題電力晶體管在使用時(shí),要防止()。

A.二次擊穿
B.靜電擊穿
C.時(shí)間久而失效
D.工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)

9.單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(電力MOSFET)是理想的()控制器件。

A.電壓
B.電流
C.電阻
D.功率

10.單項(xiàng)選擇題功率晶體管(GTR)從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱(chēng)為()。

A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截至

最新試題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。

題型:判斷題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

二極管外接正向電壓,P區(qū)應(yīng)接電源()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無(wú)影響。

題型:判斷題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

3個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以?xún)?nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題