說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因？

自由電子帶負電，空穴帶正電。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

PN 結的單向導電性與外加電壓頻率無關。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

發(fā)射區(qū)推進效應

試說明硅工藝中常用摻雜雜質B，P，As的擴散特性。

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

在PN 結形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

自由電子是載流子，空穴不是。